近日Intel发文介绍了在IEDM 2024(2024年IEEE国际电子器件会议)上展示的秀项代多项技术突破。

在新材料方面，出多减成法钌互连技术(subtractive Ruthenium)最高可将线间电容降低25%，工技有助于改善芯片内互连。术突

Intel代工还率先展示了一种用于先进封装的破吞异构集成解决方案，能够将吞吐量提升高达100倍，吐量实现超快速的暴增倍芯片间封装(chip-to-chip assembly)。

此外，秀项代Intel代工还展示了硅基RibbionFET CMOS (互补金属氧化物半导体)技术，出多以及用于微缩的工技2D场效应晶体管(2D FETs)的栅氧化层(gate oxide)模块，以提高设备性能。术突

在300毫米GaN(氮化镓)技术方面，破吞Intel代工也在继续推进研究，吐量制造了业界领先的暴增倍高性能微缩增强型GaN MOSHEMT(金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管)。

可以通过减少信号损失，秀项代提高信号线性度和基于衬底背部处理的先进集成方案，为功率器件和射频器件等应用带来更强的性能。

Intel代工还认为，以下三个关键的创新着力点将有助于AI在未来十年朝着能效更高的方向发展：

先进内存集成(memory integration)，以消除容量、带宽和延迟的瓶颈;

用于优化互连带宽的混合键合;

模块化系统(modular system)及相应的连接解决方案

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